闪存芯片被污染超6.5EB，多个大厂受牵扯

闪存芯片被污染超6.5EB，多个大厂受牵扯

闪存芯片被污染超6.5EB，多个大厂受牵扯，前不久西数、铠侠位于日本的闪存工厂遭遇材料污染事故，导致大量闪存报废，闪存芯片被污染超6.5EB，多个大厂受牵扯。

据外媒报道，供应链透露，美光通知 NAND 芯片合约、现货价上涨。其中，合约价上涨 17% 至 18%，现货价涨幅达 25% 以上，这也是目前已知最高的涨价幅度！

业内人士指出，威腾、铠侠事件爆发后，同行涨价或暂停报价在预期内，但原本市场预期涨价在15%左右，美光涨幅超乎预期，现货价更大涨逾25%，凸显相关事件影响比预期大，后续涨价风潮恐一波接一波出现。

据了解，西部数据及其生产合作伙伴铠侠上周表示，由于闪存芯片生产材料受到污染，影响了日本两家工厂的生产。西部数据2月14日向客户发布通知，宣布立即上调所有 Flash 产品价格。但涨价幅度并未透露。

报道称，群联此前已传出提高报价 15% 的消息。美光 16 日并未正面回应大幅提高 NAND 芯片报价的消息，强调该公司运营未受工厂污染事件影响，将持续为客户提供最佳解决方案，与客户签订长期协议的策略有助于在产业不确定时期让客户对供应有信心。

据之前报道，本月9日由于用于生产闪存芯片的材料受到污染，导 ……此处隐藏189个字……年闪存面临缺货。

在事故发生之后，西数、美光等厂商已经开始涨价，包括合约及现货价，涨幅传闻超过25%。

前不久的西数、铠侠位于日本的闪存工厂遭遇的污染事故正在一步步改变闪存及SSD市场，西数、美光等厂商已经涨价10%甚至更多，下游的SSD厂商也表示闪存很快就会供不应求，价格要急涨。

中国台湾媒体报道，存储厂商宇瞻总经理张家騉日前在财报会上表示，DRAM为缓慢走升，NAND flash在西数/铠侠事件后，第二季会急速转为供不应求，缺口会扩大很快、价格将急涨，目前看来，产业正向、需求成长，第一季是乐观看待。张家騉表示，本来今年大家看内存，无论是DRAM或NAND Flash都是缓跌，大家都只备刚好或安全库存，但因近期的突发状况，DRAM反弹的时间提早、NAND Flash更是变为将供不应求，所以现在公司会快速买库存，将库存水位往上升，满足客户需求。

2月初，西部数据及其合作伙伴铠侠表示：用于闪存芯片生产的材料污染，影响了日本两家工厂的生产。

铠侠表示，受影响的产品是一种名为3D flash的新型芯片，而传统2D NAND闪存的发货预计不会受到影响。

西数和铠侠表示，正努力使横海市和北上市的工厂尽快恢复正常运营。但此声明并没有给出何时恢复生产的详细日期。

西数也没有给出明确的损失，之前的说法是损失6.5EB闪存，但这肯定不是所有的损失，有分析称算上铠侠的那部分闪存损失，影响的闪存芯片总量大概是16EB，相当于全球一季市场消费量的约10%，这对全球闪存供应势必会有很大影响。