三星3nm工厂准备动工，或将首发GAA工艺

三星3nm工厂准备动工，或将首发GAA工艺

三星3nm工厂准备动工，或将首发GAA工艺，根据韩国媒体报道，三星今年准备在韩国平泽市开工建设3纳米晶圆厂，目前预计可能会在6月份还7月份动工，三星3nm工厂准备动工，或将首发GAA工艺。

三星的晶圆代工部门最近负面不断，此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报5nm、4nm、3nm工艺制程的良品率，以致于高通这样的VIP客户都要出走，重新使用台积电生产骁龙8处理器。

不过从技术上来说，三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂，虽然在7nm、5nm及4nm节点上落后了一些，但在接下来的3nm节点三星更激进，要全球首发GAA晶体管工艺，放弃FinFET晶体管技术，而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。

三星之前表示，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管)，该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

三星在3纳米芯片量产方面再次传来新消息，再次出现了新进展，准备建设一座使用新工艺，新技术的3纳米芯片工厂，未来，三星的3纳米芯片究竟能否成功落地，三星究竟能否成功兑现自己的承诺。

三星这个全新工艺制成的3纳米芯片，究竟能否如愿超越台积电相对应的3纳米芯片，虽然不看好，但还是拭目以待，看看三星这次会不会又是新一轮的嘴炮。

这两年的三星5nm，4nm工艺性能不行已经是事实了，高通自己也是绷不住准备将8Gen1转向台积电4nm工艺，不过三星下一代3nm工艺还是值得期待的，而且会全球首发GAA晶体管工艺取代FinFET工艺，会比台积电3nm更先进一些。

根据三星官方介绍，3nm GAA技术相比7nm工艺功耗能降低约50%，性能提高35%，不过这也是纸上谈兵，最终是骡子是马还得拉出来溜溜，而性能更强的3GAP可能要到2023年才能看到。

在今年，台积电4nm工艺相比三星4nm还是有着绝对优势，但是根据台积电官方介绍来看，台积电3nm的提升幅度并不会太大，而且依然采用FinFET技术，根据目前消息，明年苹果的A16芯片可能会因为产能依然选择台积电N4P工艺。

所以在目前的时间节点，三星4nm工艺的8Gen1机型推荐指数还是不高，都等到现在了，可以期待一下天玑9000/8100/8000这些机型的表现，此外明年的芯片功耗可能会有一个明显改善。